[11p-D1-1~17] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [11p-D1-15] 非晶質InGaZnO抵抗変化メモリにおける電極材料依存性

〇門 圭佑¹、山内 祥光¹、鍋坂 恭平¹、藤井 茉美¹、石河 泰明¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大)

キーワード：アモルファスInGaZnO、抵抗変化、バイポーラ