[11p-D1-1~17] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [11p-D1-4] IGZO薄膜中の酸素空孔によるPLとドナー準位

〇(M1C)陳 東京¹、森本 貴明^{1, 2}、福田 伸子³、大木 義路^{1, 4} (1.早大先進理工, 2.学振DC2, 3.産総研 FLEC, 4.早大材研)

キーワード：IGZO、スピンコート法