[11p-D1-1~17] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[11p-D1-6] 光ゾル-ゲルプロセスによるIZO半導体薄膜の作製とTFT特性

〇小笹 健仁¹、鄭 恵貞¹、植村 聖¹、吉田 学¹、星野 聡¹ (1.産総研FLEC)

キーワード：アモルファス酸化物半導体、光ゾルゲル