[11p-D7-1~14] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[11p-D7-10] 300℃以下プロセスで作製した結晶性GeチャネルTFT

〇笠原 健司¹、永冨 雄太²、山本 圭介²、東 英実³、中野 茉莉央³、山田 晋也³、金島 岳³、中島 寛²、浜屋 宏平³ (1.九大シス情, 2.九大産学連携センター, 3.阪大基礎工)

キーワード：ゲルマニウム、金誘起層交換成長法、薄膜トランジスター