[11p-D7-1~14] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[11p-D7-4] GeSn/絶縁基板の極低温種付け横方向固相成長法（３） -パルスレーザーアニール・シーディングの検討-

〇松村 亮^{1, 2}、知北 大典¹、佐道 泰造¹、池上 浩¹、宮尾 正信¹ (1.九大院システム情報, 2.学振特別研究員)

キーワード：半導体、GeSn、固相成長