[12a-A21-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [12a-A21-7] 三端子構造を用いたGaN ショットキーバリアダイオードの寄生抵抗解析

〇山口 修造¹、山口 裕太郎²、山中 宏治²、大石 敏之¹ (1.佐賀大理工, 2.三菱電機)

キーワード：窒化ガリウム、ショットキーバリアダイオード