[12a-A21-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[12a-A21-8] N極性p形GaNショットキー電極の電気的特性の評価

〇青木 俊周¹、谷川 智之²、片山 竜二²、松岡 隆志²、塩島 謙次¹ (1.福井大院工, 2.東北大金研)

キーワード：N極性p形GaN、ショットキー接触、ショットキー障壁高さ