[12a-A29-1~11] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[12a-A29-5] 金誘起低温層交換法による高Ge組成(≧50%)SiGe/絶縁膜の大粒径・方位制御成長(≦300℃)

〇佐道 泰造¹、パク ジョンヒョク^{1, 2}、青木 陸太¹、宮尾 正信¹ (1.九大システム情報, 2.学振)

キーワード：半導体