[12a-C1-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

[12a-C1-9] ホッピング伝導層を用いたダイヤモンドp⁺-i-n⁺接合の電気特性

〇牧野 俊晴^{1, 2}、桑原 大輔^{1, 2, 3}、加藤 宙光^{1, 2}、竹内 大輔^{1, 2}、小倉 政彦^{1, 2}、大串 秀世^{1, 2}、山崎 聡^{1, 2, 3} (1.産総研エネ部門, 2.CREST/JST, 3.筑波大)

キーワード：ダイヤモンド、PINダイオード、ホッピング伝導