[12a-D1-1~12] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[12a-D1-4] 反応性プラズマ蒸着法によって作製したGa添加ZnO薄膜における構造特性への酸素ガス流量及びGa添加量の効果

〇寺迫 智昭¹、野本 淳一²、牧野 久雄²、白方 祥¹、山本 哲也² (1.愛媛大院理工, 2.高知工科大総研)

キーワード：酸化亜鉛、反応性プラズマ蒸着法、薄膜