[12a-D1-1~12] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[12a-D1-8] 窒素添加結晶化法によるc面サファイア基板上へのZnO膜の作製：歪み緩和におけるバッファー層結晶粒密度の影響

井手 智章¹、松島 宏一¹、清水 僚太¹、山下 大輔¹、徐 鉉雄¹、古閑 一憲¹、白谷 正治¹、〇板垣 奈穂^{1, 2} (1.九州大学, 2.JSTさきがけ)

キーワード：酸化亜鉛、バッファー層、スパッタリング