[12p-A21-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [12p-A21-3] 酸素雰囲気熱処理プロセスがGaN MOS界面特性に与える影響

〇大平 城二¹、千崎 泰¹、谷田部 然治^{1, 2}、橋詰 保^{1, 2} (1.北大量集センター, 2.JST-CREST)

キーワード：窒化ガリウム、熱酸化処理、界面準位