[12p-A21-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[12p-A21-6] AlGaN上にALD成膜したHfO₂を用いたMIS-HEMTの電気的特性

〇西野 剛介¹、吉田 雄祐¹、久保 俊晴¹、三好 実人¹、江川 孝志¹ (1.名古屋工業大学)

キーワード：絶縁膜