[12p-A21-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[12p-A21-8] 低周波インピーダンス測定によるGaN HEMTのトラップモデリング

〇山口 裕太郎¹、大塚 浩志¹、小山 英寿¹、加茂 宣卓¹、南條 拓真¹、山中 宏治¹、大石 敏之² (1.三菱電機, 2.佐賀大学)

キーワード：GaN、HEMT、トラップ