[12p-A21-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[12p-A21-9] GaN HEMT Drain-lagのGaN channel層依存性

〇鎌田 陽一¹、岡本 直哉¹、佐藤 優¹、山田 敦史¹、小谷 淳二¹、石黒 哲郎¹、多木 俊裕¹、尾崎 史朗¹、新井田 佳孝¹、牧山 剛三¹、渡部 慶二¹、常信 和清¹ (1.株式会社富士通研究所)

キーワード：Drain-lag