[12p-A23-1~11] 13.5 デバイス／集積化技術

[12p-A23-11] 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMにおける異常不安定セルの最低動作電圧 (V_min) の詳細解

〇水谷 朋子¹、山本 芳樹²、槇山 秀樹²、山下 朋弘²、尾田 秀一²、蒲原 史朗²、杉井 信之²、平本 俊郎¹ (1.東大生研, 2.LEAP)

キーワード：最低動作電圧、SRAM、ばらつき