2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[12p-A23-1~11] 13.5 デバイス／集積化技術

2015年3月12日(木) 14:00 〜 17:30 A23 (6A-216)

15:00 〜 15:15

△ [12p-A23-3] 30nm世代NANDフラッシュメモリにおけるRTNの空間及び統計分布のチャネル不純物依存性

〇(M1)富田 季宏1、宮地 幸祐1 (1.信州大院)

キーワード：NANDフラッシュメモリ、ランダムテレグラフノイズ、チャネル不純物濃度