2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[12p-A27-1~15] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2015年3月12日(木) 14:00 〜 18:00 A27 (6A-202)

16:15 〜 16:30

[12p-A27-9] 次世代TCAD(3) 台形チャネルSi-nMOSFETの耐圧特性解析

〇山田 吉宏1、大倉 康幸1、山口 憲1、小池 秀耀1 (1.アドバンスソフト株式会社)

キーワード:MOSFET