[12p-A29-1~11] 未来を担う若手科学者の在り方　～集積化技術の新たな価値創造を目指して～

△ [12p-A29-5] 金属/Ge界面への高Sn組成Ge_1−xSn_x層挿入によるショットキー障壁高さの低減

〇鈴木 陽洋¹、柴山 茂久^{1, 2}、坂下 満男¹、竹内 和歌奈¹、中塚 理¹、財満 鎭明^{1, 3} (1.名大院工, 2.学振DC, 3.名大エコトピア)

キーワード：ショットキー障壁高さ、ゲルマニウム、ゲルマニウムスズ