[12p-A29-1~11] 未来を担う若手科学者の在り方　～集積化技術の新たな価値創造を目指して～

[12p-A29-6] HfO₂/Al₂O₃/In_0.53Ga_0.47As界面に対する窒素プラズマクリーニング後の水素アニール効果に関する研究

〇祢津 誠晃¹、金澤 徹^{1, 2}、宮本 恭幸^{1, 2} (1.東工大工, 2.東工大院理工)

キーワード：HfO2、Al2O3、InGaAs