[12p-P16-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[12p-P16-10] 膜厚制御メサ加工基板を用いた電流制御型液相成長によるGaN横方向成長

〇岩川 宗樹¹、高倉 宏幸¹、冨田 将史¹、神林 大介¹、安井 亮太¹、水野 陽介¹、丸山 隆浩¹、成塚 重弥¹ (1.名城大理工)

キーワード：窒化ガリウム、液相成長