[13a-A23-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

[13a-A23-8] [第6回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演] 大口径化可能な貼り合わせ法によるSi上高性能InGaAs-OI MOSFETの作製

〇金 相賢^{1, 2, 3}、一宮 佑希^{1, 2}、横山 正史¹、中根 了昌¹、Li Jian⁴、Kao Yung-Chung⁴、竹中 充^{1, 2}、高木 信一^{1, 2} (1.東大院工, 2.JST-CREST, 3.Korea Institute of Science and Technology, 4.IntelliEPI, Inc.)

キーワード：InGaAs MOSFET、Wafer bonding