2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.3 プラズマ成膜・表面処理

[13a-A27-1~13] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

2015年3月13日(金) 09:00 〜 12:30 A27 (6A-202)

10:15 〜 10:30

[13a-A27-6] スパッタを用いた低温高速層交換Ge結晶成長に対する基板温度の効果

〇古閑 一憲1、市田 大樹1、橋本 慎史1、徐 鉉雄1、山下 大輔1、板垣 奈穂1, 2、白谷 正治1 (1.九大, 2.JST PRESTO)

キーワード:層交換結晶成長、スパッタリング、フレキシブルデバイス