[13a-B1-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13a-B1-9] [講演奨励賞受賞記念講演] (001)Si基板上(1–101)InGaNストライプ光共振器の誘導放出特

〇久志本 真希¹、本田 善央¹、天野 浩^{1, 2} (1.名大院工, 2.赤崎記念研究センター)

キーワード：InGaN、半極性面、Si基板上