[13a-P18-1~22] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス（ポスター）

[13a-P18-16] GaとH₂Oを原料とする大気圧化学気相堆積法によるβ-Ga₂O₃薄膜及びナノ構造の成長

〇寺迫 智昭¹、一ノ谷 光²、宮田 晃²、矢木 正和³ (1.愛媛大院理工, 2.愛媛大工, 3.香川高専)

キーワード：酸化ガリウム、化学気相堆積法、ナノワイヤー