[13a-P18-1~22] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス（ポスター）

[13a-P18-17] ヘテロ接合を用いたDLTS法によるIGZO薄膜のトラップ準位の評価（２）

〇小坂 修司¹、横田 嘉宏¹、岡田 廣¹ (1.コベルコ科研)

キーワード：DLTS、IGZO