[13a-P18-1~22] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス（ポスター）

[13a-P18-22] In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタにおけるソース・ドレイン電極プラズマエッチングダメージと実効チャネル長への影響

〇是友 大地¹、戸田 達也¹、ワン ダーパン^{1, 2}、古田 守^{1, 2} (1.高知工大環境理工, 2.高知工大総研)

キーワード：TFT、IGZO