[13p-B4-1~9] 15.6 IV族系化合物

△ [13p-B4-3] ４H-SiC面内MOSFET上のdry酸化界面における電界効果移動度と実効移動度の乖離

〇平井 悠久¹、喜多 浩之^{1, 2} (1.東大院工, 2.JSTさきがけ)

キーワード：SiC、MOSFET、移動度