[13p-B4-1~9] 15.6 IV族系化合物

△ [13p-B4-7] NOアニールを施したSiC MOSデバイスのフラットバンド電圧安定性

〇勝 義仁¹、細井 卓治¹、南園 悠一郎²、木本 恒暢²、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工, 2.京大院工)

キーワード：パワーデバイス、SiC MOS、NOアニール