[13p-D1-1~11] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[13p-D1-11] β-Ga₂O₃のMBE成長における積層欠陥発生の面方位依存性

〇佐々木 公平¹、倉又 朗人¹、山腰 茂伸¹ (1.タムラ製作所)

キーワード：酸化ガリウム、分子線エピタキシー、積層欠陥