[13p-D1-1~11] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [13p-D1-4] ミストCVD法により成長したSnドープGa₂O₃薄膜の電気特性評価

〇赤岩 和明¹、李 三東¹、金子 健太郎¹、藤田 静雄¹ (1.京大院工)

キーワード：酸化物半導体、ドーピング、電気特性