[13p-D1-1~11] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [13p-D1-6] ハライド気相成長法によるβ-Ga₂O₃基板上ホモエピタキシャル成長

〇野村 一城¹、後藤 健²、佐々木 公平^{2, 3}、河原 克明¹、ティユ クァン トゥ⁴、富樫 理恵¹、村上 尚¹、熊谷 義直¹、東脇 正高³、倉又 朗人²、山腰 茂伸²、Bo Monemar^{4, 5}、纐纈 明伯¹ (1.東京農工大院工, 2.タムラ製作所, 3.情報通信研究機構, 4.東京農工大GIRO, 5.Linköping Univ.)

キーワード：半導体、酸化ガリウム、ハライド気相成長法