[13p-D10-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [13p-D10-7] VO₂/TiN/Si積層構造デバイスにおけるMHz帯発振

〇(D)モハメッド シュルズ¹、沖村 邦雄¹、坂井 穣² (1.東海大院理工, 2.トゥール大GREMAN)

キーワード：二酸化バナジウム(VO2)、積層デバイス、高周波発振