[13p-D4-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[13p-D4-5] Si基板上へのGaN/Ga(N)Asヘテロ構造のMBE成長

〇(M2)加太 俊¹、中井 裕子¹、山崎 健平¹、田中 康弘¹、高橋 尚志¹、橋本 光博²、高橋 敏男²、秋山 英文²、小柴 俊¹ (1.香大, 2.東大物性研)

キーワード：GaN/GaAs、MBE