[13p-D4-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[13p-D4-7] 微細トレンチへの選択MOCVD成長における三元系化合物半導体の局所組成分析

〇大場 大輔¹、近藤 佳幸¹、軍司 勲男¹、飯塚 洋二¹、杉山 正和²、保坂 重敏¹ (1.東京エレクトロン, 2.東大院工)

キーワード：選択成長、電界効果トランジスタ、面間拡散