2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[13p-P16-1~4] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2015年3月13日(金) 16:30 〜 18:30 P16 (総合体育館)

16:30 〜 18:30

[13p-P16-2] アニール条件がGe表面の原子スケールのモフォロジーに与える影響

〇森田 行則1、太田 裕之1、昌原 明植1、前田 辰郎1 (1.産総研)

キーワード:ゲルマニウム、平坦化、AFM