[13p-P16-1~4] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[13p-P16-3] Ga-In-O薄膜のウェットエッチングプロセス検討

〇(B)吉田 邦晃¹、藤岡 秀平¹、後藤 良介¹、尾沼 猛儀^{1, 2}、永井 裕己¹、山口 智広¹、本田 徹¹ (1.工学院大工, 2.東京高専)

キーワード：Ga2O3、In2O3