[13p-P17-1~24] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-P17-3] In-Plane Gateデバイスの電流‐電圧特性

〇坂元 翔¹、小野満 恒二²、山本 秀樹²、堀越 佳治¹、牧本 俊樹¹ (1.早大理工, 2.NTT BRL)

キーワード：ナノデバイス