[13p-P17-1~24] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [13p-P17-7] InAlN/GaN HEMTs における傾斜型フィールドプレートによるドレイン空乏領域長への影響

〇安川 奈那¹、畠山 信也¹、吉田 智洋¹、尾辻 泰一¹、末光 哲也¹ (1.東北大通研)

キーワード：GaN系HEMT、傾斜型フィールドプレート