[13p-P17-1~24] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-P17-8] 独立に電圧印加可能なField Plateを有するAlGaN/GaN HEMTのパルスI-V特性

〇間瀬 駿¹、江川 孝志¹、分島 彰男¹ (1.名工大)

キーワード：GaN、HEMT、Field Plate