[14a-A24-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[14a-A24-1] CVD法を用いたGeO₂/Ge構造の作製と評価

〇小倉 大輝¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹ (1.東京農工大工)

キーワード：ゲルマニウム、CVD、MOS