2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[14a-A24-1~12] 13.3 絶縁膜技術

2015年3月14日(土) 09:00 〜 12:15 A24 (6A-217)

09:45 〜 10:00

[14a-A24-4] プラズマ後窒化(100)面及び(110)面SiGe MOS界面の比較

〇(D)韓 在勲1, 2、竹中 充1, 2、高木 信一1, 2 (1.東大院工, 2.JST-CREST)

キーワード：SiGe、プラズマ後窒化、(110)面