[14a-A29-1~11] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[14a-A29-2] IBEを用いたfinミリングによるFinFETの特性ばらつき改善

〇松川 貴¹、遠藤 和彦¹、赤坂 洋²、神谷 保志²、池田 真義²、恒川 孝二²、中川 隆史²、柳 永勛¹、昌原 明植¹ (1.産総研, 2.キヤノンアネルバ)

キーワード：FinFET、イオンビームエッチング、特性ばらつき