[14a-A29-1~11] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

△ [14a-A29-6] ゲート絶縁膜耐圧不良のラマン分光法による原因評価

〇横川 凌¹、富田 基裕^{1, 3}、水越 俊和²、平野 雄大²、草野 健一郎²、佐々木 克弘²、小椋 厚志¹ (1.明治大理工, 2.ラピスセミコンダクタ宮城, 3.学振特別研究員DC)

キーワード：半導体、ラマン分光法、ゲート酸化膜耐圧不良