2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[14a-A29-1~11] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2015年3月14日(土) 09:00 〜 12:00 A29 (6A-204)

10:45 〜 11:00

[14a-A29-7] レーザーアニールによる高性能パワー素子のプロセス検討

〇陳 訳1、野口 隆1、マッツァムト フルビオ2、ヒュエット カリム2 (1.琉球大学工, 2.スクリーンセミコンダクタ(株))

キーワード:レーザーアニール、浅接合、接合特性