[14a-B1-1~9] 窒化物半導体特異構造の科学　～成長・プロセスとエレクトロニクス展開～

△ [14a-B1-3] 酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成に及ぼす圧力の効果

〇栗本 浩平^{1, 2}、包 全喜^{1, 2}、斉藤 真^{1, 3}、富田 大輔¹、伊藤 みずき¹、山崎 芳樹¹、小島 一信¹、鏡谷 勇二³、茅野 林造²、石黒 徹¹、秩父 重英¹ (1.東北大多元研, 2.日本製鋼所, 3.三菱化学)

キーワード：窒化ガリウム、酸性アモノサーマル法