2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » 窒化物半導体特異構造の科学　～成長・プロセスとエレクトロニクス展開～

[14a-B1-1~9] 窒化物半導体特異構造の科学　～成長・プロセスとエレクトロニクス展開～

2015年3月14日(土) 08:30 〜 11:45 B1 (6B-101)

10:00 〜 10:15

[14a-B1-5] III族原料流量変調エピタキシによる窒素極性GaN(000-1)薄膜成長機構

〇赤坂 哲也1、林 家弘1、山本 秀樹1 (1.NTT物性基礎研)

キーワード：窒化ガリウム、窒素極性、ヒルロック