[14a-B4-1~13] 15.6 IV族系化合物

[14a-B4-9] 3.3 kV 4H-SiC MOSFETの作製と特性評価

〇酒井 光彦¹、内田 光亮¹、日吉 透¹、和田 圭司¹、古米 正樹¹、築野 孝¹、御神村 泰樹¹ (1.住友電気工業)

キーワード：4H-SiC、MOSFET