[14a-D1-1~9] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[14a-D1-7] MOCVD法によるc面サファイア基板上Cu₂O薄膜の結晶成長-二段階成長の検討-

〇寺村 瑞樹¹、谷口 凱¹、田口 健太朗¹、藤原 一樹¹、石川 博康¹ (1.芝浦工大)

キーワード：Cu2O薄膜