[14a-D10-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[14a-D10-6] 溶媒置換によるHfO₂導電性ブリッジメモリのスイッチング特性制御 2

〇(M2)吉原 正人¹、原田 晃典¹、伊藤 敏幸¹、岸田 悟^{1, 2}、木下 健太郎^{1, 2} (1.鳥取大工, 2.TiFREC)

キーワード：抵抗変化メモリ、インピーダンス、CB-RAM